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無機半導體具有豐富可調的功能特性,是構筑電子、能源與信息器件的核心材料。然而,這類材料在室溫下通常表現為脆性強,易發生斷裂,進而導致災難性失效。近年來,一些無機半導體材料被陸續發現具有類似金屬的良好塑性,顛覆了其本征脆性的傳統認知,為發展柔性與可變形電子器件等新興技術提供了材料支撐。但具有塑性的無機半導體材料種類較少,且其功能特性主要局限于電學、熱學和傳感,限制了其應用范圍。傳統的鐵磁金屬具有良好的延展性/塑性和金屬導電特性,而無機鐵磁半導體兼具優異的鐵磁性和半導體特性,是發展自旋電子學器件的理想材料。但目前,無機鐵磁半導體普遍表現為本征脆性,制約了其可加工性,以及其在柔性器件中的應用潛力。
近期,中國科學院上海硅酸鹽研究所等,發現了新型塑性鐵磁半導體CrSiTe3晶體。CrSiTe3是層狀鐵磁半導體材料,研究團隊通過自熔劑法生長出塊體CrSiTe3單晶。力學性能測試表明,CrSiTe3塊體單晶在室溫下表現出良好的塑性,沿面內方向可承受高達12%的拉伸應變與15%的彎曲應變,沿面外方向可承受40%的壓縮應變,與已報道的典型塑性無機半導體材料相當。 為揭示其塑性變形機理,研究團隊開展了第一性原理計算,發現CrSiTe3的優異塑性源于其Te-Te層間47mJ m-2的滑移能壘、418mJ m-2的解離能,因而層間容易滑移而不引發解離。化學鍵分析表明,在滑移過程中,層間Te-Te相互作用始終保持一定強度的化學鍵連接,使材料難以解離。 磁性測量表明,軋制和彎曲處理后的樣品CrSiTe3的居里溫度均穩定在34K,且飽和磁化強度和矯頑力也未發生明顯變化。蒙特卡洛模擬發現,層間滑移導致AAC堆垛等亞穩態結構形成后,CrSiTe3鐵磁性保持穩定,磁各向異性仍沿c軸方向且僅發生微小偏差,材料具有與原始ABC堆垛相近的居里溫度(35±1K)。上述結果說明,材料的塑性變形對宏觀鐵磁性能影響甚微。 該研究拓展了塑性無機半導體材料的功能特性與應用范疇,并在塊體無機半導體中實現了塑性、半導體特性與本征鐵磁有序的協同共存,為發展柔性自旋電子器件提供了新的材料支撐。 相關研究成果發表在《先進材料》(Advanced Materials)上。研究工作得到國家自然科學基金委員會、科學技術部、中國科學院、上海市等的支持。
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